解析MOS晶體管版圖及其設計繪圖示意說明

本節簡短討論一下制造一整套（實用的）掩膜版過程中主要得一些方面。這些制造過程可分布圖、布圖編碼和制版。這一節主要對那些正在作器件模擬的讀者們有用處，他們可能需要設計一個包含若千個器件的供測試用的芯片。MOS晶體管版圖。希望下面的資料將有助于使他們和制造工程師們（或硅產品制造廠）更容易相互配合。

MOS晶體管版圖

如10.1節所述，(布圖)設計規則包含了一套對電路各層布圖的幾何約束，它與制造工藝中的空間分辨能力有關。當圖形轉移到硅片上時，后者受到圖形畸變的限制，一些基本的畸變實例示于圖10.24。一般，設計規則用長度的絕對單位來表示，例如微米。當各工序中的空間分辨能力改進后，設計規則便可按比例縮小，允許布圖更密集些。在一般的生產設施中，總是不能按全套設計規則均勻的按比例縮小，因為在整個工藝過程中，工藝的空間分辨能力不是均勻的。MOS晶體管版圖。然而，若允許用最差情況的分辨能力作為基本的工藝分辨能力，則就可能設計一套最簡單的設計規則，隨著工藝分辨能力不斷改進，它可以均勻地按比例縮小。這樣的規則廣泛用于大學和對IC制造不熟悉的一些工業，并且可在電路設計的教科書中找到。

布圖中的繪圖可以用手工畫，通常是用繪圖工具。但是，現在幾乎全部用那些可以買到的計算機輔助布圖工具中的一種來完成。后者通常由計算機程序組成，通過視頻計算機終端與設計者相互聯系，并可在計算機終端上交互性的產生圖形。這種工具有各種形式，從單獨使用的到分時結構的都有。MOS晶體管版圖。有一些是商業上可買到的，而其它很多都是在各種機構或大學中作為專用工具或研制的工具。

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