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          解析MOS晶體管版圖及其制版示意說明

          信息來源: 時間:2022-8-30

          解析MOS晶體管版圖及其制版示意說明

          MOS晶體管制版

          如上所述,掩膜版是通過圖形發生器從編碼后的布圖制造出來的。一般的基本工藝包括把淀積在高質量玻璃板上的薄層鉻(金屬)膜表面上的光敏感或電子束敏感的抗蝕劑曝光,用類似于10.2節描述的那些工序,將光刻膠顯影,然后腐蝕鉻膜,在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的區域。MOS晶體管制版。鉻是比較好的照相乳膠,因為它很耐磨,而且還可形成較高反差的象。電子束圖形發生器已成為越來越主要的了。通??芍苯又瞥裳谀ぐ?,掩膜版上包含有硅片上與每一個芯片相對應的按最后圖形尺寸大小構成的重復的象。MOS晶體管制版。光學圖形發生器通常制成一塊只有一個芯片的象的掩膜版,這個象比最后圖形尺寸大5或10倍,這個中間的掩膜版稱為初縮版。然后,把初縮版光學投影成一個精確地縮小的象到另一個類似的光敏感的版上制成精縮版。這個投影按照順序重復許多次,稱為分步重復,以制成精縮版,這個版上包含了許多個芯片上的象。

          通常每一層布圖對應于一塊掩膜版,但是,有些情況下,制出的版圖數目大于布圖的層數。這些附加的掩膜版是通過對各層布圖進行邏輯操作,如NOT、AND和OR制成的。例如,如果一個E/D NMOS工藝要求耗盡型器件防止增強型的注入,在10.3節討論過,這就要求制出一塊與耗盡層圖形相反的(NOT)掩膜版。MOS晶體管制版。同樣的,在CMOS工藝中,雖然似乎只用單一的,稱為“p+”層把實際p+摻雜區與n+(摻雜區分開,但是,這常常需要兩塊版。MOS晶體管制版。一塊版保護p+區,防止n+注入,另一塊是與前面一塊版上的象相反的一塊掩膜版,用來保護n+區不受p+的注入。實際制造工藝的細則一旦決定后,這些附加的掩膜版不難從布圖的CIF編碼中產生。


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